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50多項國際四探針測試儀領域的Patents!

1.高重(zhong)復(fu)性,重復性≤ ±0.02% (靜(jing)態或者標(biao)準電阻); 

2.掃描速(su)度快的四探針電阻率測(ce)試(shi)儀:一分(fen)鐘(zhong)49個測(ce)量點;  

3.較(jiao)小的邊緣修(xiu)正:即(ji)片子邊緣1.5mm以內區域(yu)都能測量

美國Creative Design Engineering簡(jian)稱CDE,成立于(yu)1995年,位于(yu)美國加(jia)州(zhou)硅谷的庫比蒂諾(nuo) - CupertinoCDE公司專注(zhu)于四(si)探針設(she)備的(de)生產和(he)銷(xiao)售,累計銷(xiao)量達1000臺(tai)以上,遍布世界各大半導體Fab, 太陽能光伏企業,大學及科研機構,“CDE”是四探(tan)針領域的知名品牌。


CDE的使(shi)命是開發(fa)和制造生產高(gao)價值的,高性能(neng),成本低為半導體(ti)制計量產品及相關行業(ye)

CDE已(yi)制造并交付了超過(guo)1000 resmap電阻(zu)率測試系統,大(da)約24%用于 300mm測量,該(gai)公(gong)司已(yi)交付的太(tai)陽能電池的開發和生產支持多個單位

CDE是位于硅谷的心臟(zang)地(di)帶提供世界(jie)范圍內的銷售和服(fu)務代表網絡支持。


特點(dian)簡述:
CDE ResMap的特點如簡(jian)述如下(xia): * 高(gao)速穩定(ding)自動決(jue)定(ding)范圍量測與傳送,通(tong)過(guo)性高 數(shu)字(zi)測(ce)量方式及每點高達4000筆數據搜(sou)集,表現良好(hao)重復(fu)性(xing)及再現性(xing) * Windows 操作接口及軟件操作簡單(dan) 新制(zhi)程表現佳(銅制程低電阻率1.67mΩ-cmImplant高電阻(zu)2KΩ/□以上,皆可(ke)達成高精確(que)度(du)及重復性) * 體積小,占無塵室(shi)面積少 校(xiao)正簡單,且(qie)校(xiao)正周期長(chang) 可配合客戶需求,增強功能與適用性 * 300mm 機種可以裝2~4個量測(ce)頭,并且可(ke)以Recipe設定更(geng)換.

CDE 提供(gong)自動計算(suan)機量(liang)(liang)(liang)測的四點探針阻(zu)值量(liang)(liang)(liang)測機臺。快速,精(jing)確與(yu)軟(ruan)件(jian)(jian)控制下(xia)針、軟(ruan)件(jian)(jian)功(gong)能優化(hua)下(xia)針壓(ya)力,即使薄(bo)片量(liang)(liang)(liang)測也不易破裂。自動清針(Probe Conditioning);動(dong)作(zuo),雙針頭(tou)切換。太陽(yang)能(neng)使用可支持自動(dong)Loader300mm 機臺可(ke)使用(yong)Front End,至多擴充(chong)3個量測單(dan)元(yuan),支持Semi標準接口。
CDE ResMap–CDE 公司生(sheng)(sheng)產(chan)之(zhi)電阻值(zhi)測試系統是(shi)以(yi)四探針的(de)工藝,以(yi)配合(he)各半(ban)導體(ti)成光伏生(sheng)(sheng)產(chan)廠(chang)家(jia)進(jin)出之(zhi)生(sheng)(sheng)產(chan)品質監控,可靠又(you)簡易操作的(de)設備(bei)是(shi)半(ban)導體(ti)及光伏生(sheng)(sheng)產(chan)廠(chang)家(jia)不可缺少的(de)設備(bei)。



美國CDE公司的四(si)探針/方塊(kuai)電阻/電阻率(lv)測試設備:178(普及型(xing)號)

 測量尺寸:晶圓尺寸:2-8寸(273系列可測量大至12寸(cun)晶圓,575系列(lie)可測(ce)量大至450mm 18寸晶圓)

               方(fang)形片:大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm

· 測量范圍(wei): 0.001歐姆/平方 至 500000歐姆(mu)/平(ping)方(fang)(標準型)

· 測量方式(shi): 電腦程序自動測(ce)量(liang),或不連電腦單測(ce)量(liang)主機也可實(shi)現測(ce)量(liang)和數據(ju)顯示,此時(shi)非(fei)常適合(he)測(ce)試不規整樣片單點測(ce)量(liang),適合(he)實(shi)際研究(jiu)需要。

· 測量的數據(ju): 方塊電阻/電阻率/薄(bo)膜厚度,根(gen)據(ju)具體(ti)應(ying)用可以設置不同測量程序(xu)。

· 測量的(de)點(dian)數: 程序編排任意測量(liang)點(dian)位置及測量(liang)點(dian)數(shu)量(liang),對應不(bu)同客(ke)戶不(bu)同測量(liang)要求任意編程測量(liang)點(dian)位置與數(shu)量(liang)。

· 測量的精(jing)確度(du)<0.1% (標準模阻);

· 測量重復性重復性≤ ±0.02% (靜(jing)態或者標準電(dian)阻)

· 測量(liang)速(su)度(du)>49點/分鐘;

· 測量數據處(chu)理:根據需要顯示2D,3D數值圖,或按要求統計(ji)并輸出Excel格式文件;

· 邊緣修正(zheng):具有(you)邊緣修正功(gong)能,即片子(zi)邊緣1.5mm以內區域(yu)都(dou)能測(ce)量;

· 軟件控制下(xia)針:快速,精確與軟件控制下針、軟件功能可優化下針壓力,即使薄片量測也不易破裂。自動清針(Probe Conditioning);動(dong)作,雙針頭切換。

· 探針(zhen)壓力可調范圍軟件控制,90-200克(ke)之(zhi)間可調;

· 可供(gong)選(xuan)擇的(de)探頭(tou)類型(xing):根據測試不同工藝要求有A, B,K, M, N等相關型號探(tan)頭選擇(ze),另外還可提供專門為客戶定(ding)制的(de)應用特殊要求(qiu)的(de)探(tan)針.

· 太陽能使用可支持自動Loader300mm 機臺(tai)可使(shi)用Front End,至多擴充3個量測(ce)單元,支持Semi標準(zhun)接口。

 

· 設備應(ying)用(yong)

IC FAB/FP dispaly/LED:擴散,離子(zi)注入等(deng)摻雜工(gong)藝監控調(diao)試,薄膜電阻率或厚度(du)測量等(deng)工(gong)序,如

Apple ADL Engineering, Inc.ADL Engineering, Inc.Air ProductsAixtron, Inc.Amkor

Amkor Technology Singapore Holding Pte. LtdApplied Materials, Inc.ASE

ASM Microchemistry Ltd.ATMIAtotechAvantor Performance Materials

Beijing NMC Co., Ltd.ChipBond ChipMOS Clarkson University

Fujimi ;CorporationISMI Giraffe Microelectronics Co. Ltd. (Qinghua University)

Hionix Hynix IBM Inter molecular

JiangSu ;Lam Research Lam Research SEZ/Aus

Leading Precision, Inc Maxim Integrated Products

MEMC Northrop Grumman PacTech

Powertech Technology Inc. Siltronic Samsung Wafer Pte. Ltd.

Siltronic Spansion SPIL SUMCO TEL NEXX, Inc.TSMC University of California

IntelIBMMotorolaTSMCCSMC,Applied Materials,Sematech,Linear Technology,Tokyo Electronics,Delco Electronics,Lite-On Power,Goldstar,Korea Electronics,Posco Huls,SGS-Thomson,CarborundumCodeon,TRW Space&Electronics,Dynamic Research,EKC Technology,Hughes Aircraft,International Rectifier,LG Display,Semitech,Winbond,,Osram,...

中國(guo)購買(mai)用戶:

科(ke)研客戶:清華大學(xue) 北京大學(xue)(xue) 上海(hai)交通大學(xue)(xue) 天津大學(xue)(xue) 浙江大學 中山大學 浙江師范大學 ?復旦大學 北京師范大學 河北大學  。。。。。。


Resmap178


Resmap178型四點探(tan)針測(ce)試(shi)儀是專門為光(guang)伏電(dian)池生產企業設計的(de)一款產品。提(ti)供可靠,準確和(he)重復性好的(de)四點探(tan)針測(ce)試(shi)技術。Resmap178已經在太陽能電池襯底和導(dao)電薄膜(mo)上證明了其測試(shi)電阻率(lv)的可靠能力(li)。

  

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提供NIST標(biao)準片6片!

產品特點(dian):操作簡單、快速精確

電阻測量范圍:1 mΩ/ - 5 MΩ/

典型應用:非晶(jing)硅/微晶(jing)硅和導電(dian)(dian)膜電(dian)(dian)阻率測量;選擇性發射極(ji)擴(kuo)散片;表面鈍化片;交叉指樣PN結擴(kuo)散片;新型電(dian)(dian)極(ji)設(she)計,如電(dian)(dian)鍍(du)銅(tong)電(dian)(dian)阻測量等

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美國CDE專利技術(shu): 可針對材料(不同材料、軟(ruan)硬薄膜或(huo)離子植(zhi)入深或(huo)淺等(deng)條件(jian),對下針狀況優化。而此(ci)功能是可由軟(ruan)見操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻煩的硬件(jian)調(diao)整。

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測試性能指標:



探針材料 WC

探頭壽(shou)命> 500W次

測量:

電阻率面掃(sao)描2D,3D圖(tu):

      

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成功案例-美國(guo)CDE四探針測試儀(yi)

感謝以下客(ke)戶購買美國(guo)(guo)美國(guo)(guo)CDE四(si)探針測試儀

作(zuo)為半導體行(xing)業(ye)四探針測(ce)試(shi)儀測(ce)試(shi)標準之一,購買美國CDE 四探針測(ce)試(shi)儀的單位(wei)非常多。

 購買用戶(hu)

 科研客(ke)戶:清華大(da)學,天津大(da)學,浙(zhe)江大(da)學 中山大(da)學 浙(zhe)江師范(fan)大(da)學 復旦大(da)學&nbsp;北京師范(fan)大(da)學 河北大(da)學  。。。。。。

 企業客戶:上海超日太(tai)陽能(neng) 卡姆(mu)丹克太(tai)陽能(neng) 南玻(bo)光伏(fu) 榮(rong)馬新能(neng)源 山東潤(run)峰電力 江蘇(su)騰(teng)暉電力 晶澳(ao)太(tai)陽能(neng) 海潤(run)光伏(fu) 常州(zhou)比太(tai) 蘇(su)州(zhou)阿特斯 西安隆基(ji) 高(gao)佳太(tai)陽能(neng) 江西旭陽雷迪 無錫(xi)尚德 武漢珈偉光伏(fu) 蘇(su)州(zhou)中導光電 常州(zhou)天合   。。。。。。

不(bu)能(neng)一一列舉敬請諒解(jie)

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